منتجات
-
![KLMAG1JETD-B041]()
KLMAG1JETD-B041أكثرSamsung KLMAG1JETD-B041 عبارة عن جهاز تخزين فلاش مدمج eMMC 5.1 سعة 32 جيجابايت، يدمج NAND Flash عالي الأداء - مع وحدة تحكم eMMC المتقدمة داخل حزمة BGA مدمجة.
-
![KLM4G1FETE-B041]()
KLM4G1FETE-B041أكثرSamsung KLM4G1FETE-B041 عبارة عن جهاز ذاكرة فلاش مدمج eMMC 5.1 سعة 4 جيجابايت مصمم لتطبيقات التخزين المدمجة ومنخفضة الطاقة -والموثوقية العالية-. فهو يدمج NAND Flash ووحدة تحكم eMMC عالية الأداء- في
-
![K4B4G1646E-BMMA]()
K4B4G1646E-BMMAأكثرSamsung K4B4G1646E-BMMA عبارة عن جهاز DDR3 SDRAM بسعة 4 جيجا بايت تم تحسينه لتطبيقات الذاكرة عالية السرعة ومنخفضة الطاقة-. وهو يوفر عرض بيانات x16 ويستخدم على نطاق واسع في الأجهزة الإلكترونية
-
![H9HCNNNBKUMLXR-NEE]()
H9HCNNNBKUMLXR-NEEأكثرSK hynix H9HCNNNBKUMLXR-NEE هو جهاز ذاكرة uMCP (UFS + LPDDR4X MCP) متكامل يجمع بين وحدة تخزين فلاش UFS عالية الأداء- وذاكرة LPDDR4X DRAM منخفضة الطاقة- في حزمة BGA واحدة مدمجة. وهو مصمم للهواتف
-
![K4F6E3S4HM-THCL]()
K4F6E3S4HM-THCLأكثرSamsung K4F6E3S4HM-THCL عبارة عن جهاز LPDDR4 SDRAM بسعة 24 جيجا بايت تم تصميمه لتطبيقات الهاتف المحمول والمضمنة ذات الأداء العالي-والمنخفضة-الطاقة. فهو يوفر نطاقًا تردديًا عاليًا وكفاءة محسنة في
-
![MT53E512M32D1NP-046]()
MT53E512M32D1NP-046أكثرجهاز Micron MT53E512M32D1NP-046 عبارة عن جهاز SDRAM LPDDR4X (منخفض الطاقة DDR4X) بسعة 16 جيجا بايت، مُحسَّن لتطبيقات -الأداء العالي وكفاءة الطاقة-. ويتميز بإدخال/إخراج 32 بت، ومعدلات بيانات عالية،
-
![MT53D512M32D2DS-053]()
MT53D512M32D2DS-053أكثرجهاز Micron MT53D512M32D2DS-053 عبارة عن جهاز LPDDR5 SDRAM بسعة 16 جيجا بايت مصمم لتطبيقات عالية الأداء -ومنخفضة- الطاقة. وهو يوفر عرض نطاق ترددي محسنًا واستهلاكًا منخفضًا للطاقة وموثوقية محسنة للجيل
-
![TM-002-M-01]()
TM-002-M-01أكثرTM-002-M-01
-
![TM-001-D1-01]()
TM-001-D1-01أكثرTM-001-D1-01
-
![DSHP01TS-S]()
DSHP01TS-SأكثرDSHP01TS-S
