التعريف الأساسي للثلاثي

الترانزستور (ويسمى أيضا الترانزستور) هو مجرد مصطلح عام لأجهزة مكبر الصوت ثلاثية الدبوس بالمعنى الصيني. قد يكون الثلاثي الذي نقوله غالبا عدة أجهزة.

يمكن ملاحظة أنه على الرغم من أنها تسمى جميعها ثلاثية ، إلا أن التعبيرات باللغة الإنجليزية مختلفة تماما. مصطلح الثلاثي هو في الواقع مفردات تصويرية فريدة من نوعها للصينيين.

"Triode" (الثلاثي الإلكتروني) هي الترجمة الإنجليزية الوحيدة ل "triode" في القاموس الإنجليزي الصيني. وهو مرتبط بأول ظهور للثلاثي الإلكتروني ، وهو العنصر المشار إليه أصلا بكلمة triode بالمعنى الحقيقي. لا يمكن ترجمة بقية الأجهزة التي تسمى triodes باللغة الصينية إلى Triodes في الترجمة الفعلية.

الثلاثي الإلكتروني الثلاثي (المعروف باسم نوع من الأنابيب الإلكترونية)

ترانزستور تقاطع ثنائي القطب BJT (ترانزستور تقاطع ثنائي القطب)

J-نوع تأثير المجال الترانزستور بوابة تقاطع FET (ترانزستور تأثير الحقل)

أكسيد المعادن أشباه الموصلات تأثير المجال الترانزستور MOS FET (أكسيد المعادن أشباه الموصلات تأثير المجال الترانزستور) الاسم الكامل الإنجليزية

تأثير حقل الأخدود V الترانزستور VMOS (أشباه الموصلات أكسيد المعادن العمودية)

ملاحظة: يبدو أن هذه الثلاثة ترانزستورات ذات تأثير ميداني. في الواقع ، ترانزستورات تأثير مجال أشباه الموصلات لأكسيد المعادن وترانزستورات تأثير مجال قناة الأخدود V هي هياكل أحادية القطب (أحادية القطب) ، والتي تتوافق مع ثنائي القطب (ثنائي القطب) ، لذلك يمكن أيضا الإشارة إليها بشكل جماعي باسم الترانزستور أحادي القطب (ترانزستور تقاطع أحادي القطب).

من بينها ، ترانزستور تأثير المجال من النوع J هو ترانزستور تأثير حقل من النوع غير العازل ، و MOS FET و VMOS كلاهما ترانزستورات تأثير حقل نوع عازل.

VMOS هو نوع جديد من ترانزستور الطاقة مع تيار عال وتكبير عالي (عبر القنوات) تم تحسينه على أساس MOS. الفرق هو أنه يستخدم أخدودا على شكل حرف V ، مما يحسن بشكل كبير من عامل التضخيم وتيار العمل لأنبوب MOS ، ولكنه يزيد أيضا بشكل كبير. إنه منتج محسن عالي الطاقة لأنبوب MOS ، لكن الهيكل كان مختلفا اختلافا كبيرا عن MOS. VMOS لديه وضع تحسين فقط ولا يوجد أنبوب MOS لوضع النضوب فريد من نوعه ل MOS.